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参数资料
| 型号： | SBR8A45SP5-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 113K |
| 描述： | DIODE BYPASS 45V 8A POWERDI5 |
| 产品培训模块： | Super Barrier Rectifier (SBR®) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SBR® |
| 二极管类型： | 超级势垒 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 45V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 600mV @ 8A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 300µA @ 45V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerDI? 5 |
| 供应商设备封装： | PowerDI?5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1593 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SBR8A45SP5-13DIDKR |
SBR and POWERDI are registered trademarks of Diodes Incorporated.
SBR8A45SP5
Document number: DS32081 Rev. 5 - 2
4 of 5
www.diodes.com
October 2012
? Diodes Incorporated
SBR8A45SP5
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
POWERDI5
Dim
Min
Max
A
1.05
1.15
A2
0.33
0.43
b1
0.80
0.99
b2
1.70
1.88
D
3.90
4.05
D2
3.054 Typ
E
6.40
6.60
e
1.84 Typ
E1
5.30 5.45
E2
3.549 Typ
L
0.75 0.95
L1
0.50 0.65
W
1.10 1.41
All Dimensions in mm
Dimensions Value (in mm)
C
1.840
G
0.852
X
3.360
X1
1.390
Y
4.860
Y1
1.400
G
X
C
Y1
(2x)
Y
X1
(2x)
E
E1
b1
A
A2
A2
D
b2
b1
e
D2
L
E2
L1
W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBR8A60P5-13 | DIODE SBR 60V 8A POWERDI5 |
| SBR8U20SP5-13 | DIODE SBR 20V 8A POWERDI5 |
| SBR8U60P5-13 | DIODE SBR 8A 60V POWERDI5 |
| SBRB1045G | DIODE SCHOTTKY 45V 10A D2PAK |
| SBRD8835LG | DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBR8A60P5-13 | 功能描述:MOSFET Super Barrier Rectif PDI5 T&R 5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SBR8F | 制造商:SEMTECH 制造商全称:Semtech Corporation 功能描述:FAST RECOVERY 1-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
| SBR8U20SP-5 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| SBR8U20SP5-13 | 功能描述:MOSFET Super Barrier Rectif PDI5 T&R 5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SBR8U60P5 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:8A SBR? SUPER BARRIER RECTIFIER PowerDI?5 |
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