- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录54464 > SBT80-06J (SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD) 4 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SBT80-06J |
| 厂商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | SBT80-06J |
SBT80-06J
No.8225-2/3
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm
1178A
13
2
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Anode
1.6
1.2
0.75
14.0
16.0
10.0
18.1
5.6
3.2
7.2
3.5
2.55
2.4
4.5
2.8
0.7
2.55
2.4
1
23
7.2
1 : Anode
2 : Cathode
3 : Anode
SANYO : TO-220ML
(3)
(1)
(2)
(4)
0
4.5
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.0
0.5
20
10
30
40
50
60
70
0
0.5
1.0
1.5
2
5
7
3
2
5
7
3
2
10
1.0
0.1
Forward Voltage, VF -- V
Forward
Current,
I
F
--
A
IF -- VF
IT08385
Reverse Voltage, VR -- V
IR -- VR
Reverse
Current,
I
R
--
mA
IT08386
(4)
(2)
(3)
(1)
0
12
4
10
6
8
2
310
8
79
56
4
Average Forward Current, IO -- A
PF(AV) -- IO
A
verage
Forward
Power
Dissipation,
P
F
(A
V)
-
W
IT08387
Peak Reverse Voltage, VRM -- V
PR(AV) -- VRM
A
verage
Reverse
Power
Dissipation,
P
R
(A
V)
-
W
IT08388
180
°
360
°
VR
PR max at Tj=150°C
Tj=150
°C
25°
C
180
°
360
°
θ
360
°
0
1.0
10
100
2
5
7
3
2
5
3
10
20
30
40
50
60
70
Tj=150
°C max
125
°C typ
100
°C typ
150
°C typ
(1)Rectangular wave
θ=60°
(2)Rectangular wave
θ=120°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
Rectangular
wave
Sine wave
(1)Rectangular wave
θ=300°
(2)Rectangular wave
θ=240°
(3)Rectangular wave
θ=180°
(4)Sine wave
θ=180°
θ
360
°
VR
Rectangular
wave
Sine wave
Represented by max
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBT80-10GS | 4 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBT80-10JS | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBT80-10J | 8 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| SBU4G | 4 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SBYV28-100 | 3.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SBT80-06JS | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:60V, 8A Rectifi er |
| SBT80-06LS | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列 系列:- 其它有关文件:STTH10LCD06C View All Specifications 标准包装:1,000 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:1µA @ 600V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:5A 电压 - (Vr)（最大）:600V 反向恢复时间(trr):50ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:1 对共阴极 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商设备封装:D2PAK 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:497-10107-2 |
| SBT80-10GS | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:100V, 8A Rectifi er |
| SBT80-10J | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC TO220 8A 100V SHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| SBT80-10JS | 功能描述:肖特基二极管与整流器 REC TO220 8A 100V SHOTTKY RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。