参数资料
型号: SCH1333-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2A SCH6
标准包装: 5,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫欧 @ 1A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 250pF @ 10V
功率 - 最大: 800mW
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
SCH1333
1m 0 μ s
10
s
0m
a=
25
° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
VDS= --10V
ID= --2A
VGS -- Qg
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
IDP= --8A
ID= --2A
ASO
DC
op
Operation in this area
is limited by RDS(on).
er
ati
10
on
(T
s
PW≤10μs
10
s
m
)
--0.5
3
2
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
--0.01
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
--0.01
2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2 3
1.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT14885
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14886
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14887
No. A1531-4/7
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SD101201 SENSOR GEARTOOTH SPEED PLASTIC
SDP8407-001 PHOTOTRANSISTR SILICON NPN
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参数描述
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