参数资料
型号: SDP8407-001
厂商: Honeywell Sensing and Control
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描述: PHOTOTRANSISTR SILICON NPN
标准包装: 1
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 30V
电流 - 暗 (Id)(最大): 100nA
波长: 880nm
视角: 135°
功率 - 最大: 100mW
安装类型: 通孔
方向: 顶视图
封装/外壳: 径向
其它名称: 480-5171
SDP8407-001-ND
SDP8407
硅光电晶体管
特点
? 顶部可视塑料封装
? 135 ° (标称)接收角
? 小体积,设计灵活
? 在机械和光谱方面均与 SEP8507
红外发射二极管相匹配
INFRA-16.TIF
描述
外形尺寸, 单位为 inch (mm)
SDP8407 是一个装置在顶部可视塑料封装内的 NPN 硅光电晶
体管。芯片有利于接收从封装顶端发射的光线。交错排列不同
公差
3 位小数
2 位小数
± 0.008 (0.20)
± 0.020 (0.51)
长度的引脚,以便轻松识别极性。
DIM_018.ds4
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霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利,
以便改善设计,并提供最佳产品。
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PDF描述
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SE2460-002 DIODE IR EMITTING GAAS PILL PACK
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相关代理商/技术参数
参数描述
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SDP8436-002 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans Sd-looking Plstc Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1