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参数资料
| 型号： | SDP8436-004 |
| 厂商： | Honeywell Sensing and Control |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 18° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔，直角 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
SDP8436
硅光电晶体管
特点
? 侧视塑料封装
? 18 ° （标称）接受角
? 增强的耦合距离
? 内置可见光带阻滤波器
? 小体积，设计灵活
? 灵敏度范围宽
? 在机械方面与 SEP8736 红外发射二极管相匹配
INFRA-82.TIF
描述
外形尺寸， 单位为 inch (mm)
SDP8436 是 一 种 采 用 黑 色 塑 料 封 装 的 NPN 硅 光 电
晶体管，这种封装不仅具有侧视封装的安装优势，
还具有 T-1 封装的小接受角和高光学增益。SDP8436
专为触摸屏等需要更长耦合距离的应用而设计，
而采用标准侧视封装的装置无法提供这样的距离。
此装置也非常适用于存在相邻通道串扰问题的应
用。这种封装可高度透射红外源能量，同时又能有
公差 3 位小数
2 位小数
.180 (4.57)
.090 (2.29)
± 0.005 (0.12)
± 0.020 (0.51)
.169 (4.29)
.100 (2.54)
效屏蔽可见环境光线。
.104 (2.64)
直径
5
.030 (.76)
.130
.070
(1.77)
.010
(.25)
(3.30)
.50 (12.70)
.015
(.38)
发射极
集电极
.018 (.46)
2 PLCS
.015
(.38)
MIB.
.100 (2.54)
DIM_019.ds4
128
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，
以便改善设计，并提供最佳产品。
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8476-201 | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK |
| SE2460-002 | DIODE IR EMITTING GAAS PILL PACK |
| SFP-1GBT-05 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
| SFP-1GBT-06 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
| SFP9530 | MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8436-2TR | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-3 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW; Transistor Polarity:NPN; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:18; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| SDP8436-3 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW |
| SDP8436-3TR | 功能描述:光电晶体管 Infrared Sensors RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8475-201 | 功能描述:光电晶体管 Low Light Rejection Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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