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参数资料
| 型号： | SFP9530 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1035pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 66W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
n 175 C Opereting Temperature
Advanced Power MOSFET
FEATURES
n Avalanche Rugged Technology
n Rugged Gate Oxide Technology
n Lower Input Capacitance
n Improved Gate Charge
o
n Extended Safe Operating Area
n Lower Leakage Current : -10 μ A (Max.) @ V DS = -100V
n Low R DS(ON) : 0.225 ? (Typ.)
SFP9530
BV DSS = -100 V
R DS(on) = 0.3 ?
I D = -10.5 A
TO-220
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Continuous Drain Current (T C =25 C)
Continuous Drain Current (T C =100 C)
Symbol
V DSS
I D
Characteristic
Drain-to-Source Voltage
o
o
Value
-100
-10.5
-7.5
Units
V
A
O
Total Power Dissipation (T C =25 C)
W/ C
I DM
V GS
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Drain Current-Pulsed
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
o
Linear Derating Factor
O 1
2
O 1
O 1
O 3
-42
± 30
368
-10.5
6.6
-6.5
66
0.44
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
o
T J , T STG
T L
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds
- 55 to +175
300
o
C
Thermal Resistance
Symbol
R θ JC
Characteristic
Junction-to-Case
Typ.
--
Max.
2.27
Units
R θ CS
R θ JA
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
0.5
--
--
62.5
o
C/W
Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFP9540 | 功能描述:MOSFET 100V P-CH FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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