- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录506 > SFP9530 (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SFP9530 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 5.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1035pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 66W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
P-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 1. Output Characteristics
V GS
SFP9530
Fig 2. Transfer Characteristics
Top :
- 15 V
- 10 V
10 1
- 8.0 V
- 7.0 V
10 1
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
175 o C
10 0
10 0
@ Notes :
25 o C
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. V DS = -40 V
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 o C
- 55 o C
3. 250 μ s Pulse Test
10 -1 -1
10
10 0
10 1
10 -1
2
4
6
8
10
1.0
0.8
0.6
0.4
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
V GS = -10 V
10 1
10 0
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
175 o C
@ Notes :
0.2
V GS = -20 V
@ Note : T J = 25 o C
25 o C
1. V GS = 0 V
2. 250 μ s Pulse Test
0.0
0
7
14
21
28
35
42
10 -1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1500
-I D , Drain Current [A]
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = -20 V
V DS = -50 V
V DS = -80 V
1000
500
C oss
C rss
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
5
@ Notes : I D =-10.5 A
0 0
10
10 1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFT1341-E | MOSFET P-CH 40V 10A TP |
| SFT1341-TL-E | MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA |
| SFT1342-E | MOSFET P-CH 60V 12A TP |
| SFT1342-TL-E | MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA |
| SFT1345-H | MOSFET P-CH 100V 11A TP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFP9540 | 功能描述:MOSFET 100V P-CH FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFP95N03L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Logic N-Channel MOSFET |
| SFP9610 | 功能描述:MOSFET P-CH/200V/1.8A/3OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFP9614 | 功能描述:MOSFET P-CH/250V/1.6A/4OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFP9620 | 功能描述:MOSFET PCh/200V/3.5a/1.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。