参数资料
型号: SFP9530
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220
标准包装: 50
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 10.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫欧 @ 5.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1035pF @ 25V
功率 - 最大: 66W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
SFP9530
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
1.2
2.5
P-CHANNEL
POWER MOSFET
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
@ Notes :
@ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = -250 μ A
0.5
1. V GS = -10 V
2. I D = -5.3 A
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
T J , Junction Temperature [ C]
o
Fig 9. Max. Safe Operating Area
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
12
10
10 2
1
10 0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
@ Notes :
1. T C = 25 o C
2. T J = 175 o C
3. Single Pulse
DC
0.1 ms
1 ms
10 ms
10
8
6
4
2
10 -1 0
10
10 1
10 2
0
25
50
75
100
125
150
175
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Fig 11. Thermal Response
T c , Case Temperature [ o C]
10 0
D=0.5
@ Notes :
0.2
0.1
0.05
1. Z θ J C (t)=2.27 o C/W Max.
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T J M -T C =P D M *Z θ J C (t)
P . DM
10 - 1
0.02
0.01
single pulse
t 1.
t 2.
10 - 5
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
10 0
10 1
t 1 , Square Wave Pulse Duration
[sec]
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