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参数资料
| 型号： | SDP8436-004 |
| 厂商： | Honeywell Sensing and Control |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 18° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔，直角 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
SDP8436
硅光电晶体管
图 5
光谱响应率
1.0
gra_050.cdr
图 6
与 SEP8736 的耦合特性
10
gra_034ds4
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
1.0
0.1
0.01
0.0
600
700
800
900
1000
1100
1200
0.001
0.1
1.0
10
所有性能曲线均显示典型值
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，
以便改善设计，并提供最佳产品。
波长 - nm
透镜与透镜之间的间距 - in.
131
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8476-201 | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK |
| SE2460-002 | DIODE IR EMITTING GAAS PILL PACK |
| SFP-1GBT-05 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
| SFP-1GBT-06 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
| SFP9530 | MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8436-2TR | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-3 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR, SIDE VIEW; Transistor Polarity:NPN; Power Consumption:100mW; Viewing Angle:18; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: Yes |
| SDP8436-3 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW |
| SDP8436-3TR | 功能描述:光电晶体管 Infrared Sensors RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8475-201 | 功能描述:光电晶体管 Low Light Rejection Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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