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参数资料
| 型号： | SDP8476-201 |
| 厂商： | Honeywell Sensing and Control |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 6mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 20° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 其它名称： | 480-1959 |
SDP8476-201
低反射光电晶体管
特点
? 侧视塑料封装
? 阻挡弱光
? 50 ° （标称）接受角
? 在机械和光谱方面均与 SEP8506 和 SEP8706
红外发射二极管相匹配
INFRA-21.TIF
外形尺寸， 单位为 inch (mm)
描述
SDP8476 是一种 NPN 硅光电晶体管，内部的基极和
发 射 极 间 有 一 个 分 流 电 阻 。 此 装 置 采 用 透 明 的 T-1
压铸封装技术，与其他成型工艺相比，此封装方式
能够确保更卓越的光学中心线性能。交错排列不同
长度的引脚，以便轻松识别极性。
显著特性：
此装置不仅具有标准光电晶体管的全部所需特性，
还能够阻挡弱光。当入射光增至阈值（拐点）以
上时，此光电晶体管产生开关信号。当光照水平超
过装置的拐点时，它充当一个标准的光电晶体管。
图表 A 阐释了与具有相似灵敏度的标准光电晶体管
相比，低反射光电晶体管的光电流输出情况。
典型应用范围：
非常适用于要求抵制环境光线干扰的应用中，或是
阻断物为半透明的物体的红外透射的应用中。在反
射应用中，如果出现不必要的背景反射，此装置还
可以提高对比度。
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容差
DIM_017.ds4
3 位小数
2 位小数
±0.005 (0.12)
±0.020 (0.51)
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，
以便改善设计，并提供最佳产品。
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SE2460-002 | DIODE IR EMITTING GAAS PILL PACK |
| SFP-1GBT-05 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
| SFP-1GBT-06 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
| SFP9530 | MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220 |
| SFT1341-E | MOSFET P-CH 40V 10A TP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8490-303 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述: |
| SDP85N03L | 制造商:SAMHOP 制造商全称:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
| SDP8600 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SDP86XX |
| SDP8600-001 | 功能描述:光IC传感器 PHOTODIODE SCHMITT O/P RoHS:否 制造商:Honeywell 产品:Photo IC 通道数量:1 输出类型:10 KOhms Pull-up, Inverter 工作电源电压:4.5 V to 16 V 电源电流:12 mA to 15 mA 高电平输出电流: 上升时间:60 ns 下降时间:15 ns 传播延迟时间:5 us 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 标准包装数量: 封装: |
| SDP8600-001 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:Optocoupler |
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