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参数资料
| 型号： | SDP8407-001 |
| 厂商： | Honeywell Sensing and Control |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTR SILICON NPN |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 135° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 其它名称： | 480-5171 SDP8407-001-ND |
SDP8407
硅光电晶体管
电气特性 （除非另有说明，否则为 25 ° C）
参数
符号
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
光电流
SDP8407-001
I L
0.10
mA
V CE =5 V
H=1 mW/cm 2 (1)
集电极暗电流
集电极-发射极击穿电压
发射极-集电极击穿电压
集电极-发射级饱和电压
I CEO
V (BR)CEO
V (BR)ECO
V CE(SAT)
30
5.0
100
0.4
nA
V
V
V
V CE =10 V, H=0
I C =100 μ A
I E =100 μ A
I C =10 mA
H=1 mW/cm 2
角响应
(2)
?
135
度
I F = 常数
上升和下降时间
t r ，t f
15
μ s
V CC =5 V，I L =1 mA
R L =1000 Ω
注意
1. 辐射源是一个峰值波长为 935 nm 的 IRED。
2. 角响应是指具有一半灵敏度的点之间的总夹角。
绝对最大额定值
（除非另有说明，否则一般指 25 ° C 大气温度）
原理图
集电极
集电极-发射极电压
发射极-集电极电压
30 V
5 V
功耗
100 mW
(1)
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度（5 秒）
-40 ° C 至 85 ° C
-40 ° C 至 85 ° C
240 ° C
注意
1. 25 ° C 以上大气温度，按 0.66 mW/ ° C 的速率线性额定值。
发射极
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，
以便改善设计，并提供最佳产品。
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8436-004 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 |
| SDP8476-201 | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK |
| SE2460-002 | DIODE IR EMITTING GAAS PILL PACK |
| SFP-1GBT-05 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
| SFP-1GBT-06 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8425-001 | 功能描述:光电晶体管 Infrared Sensors RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8425-002 | 功能描述:光电晶体管 Infrared Sensors RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436 | 制造商:HONEYWELL-ACC 制造商全称:Honeywell Accelerometers 功能描述:Infrared Sensors Line Guide |
| SDP8436-001 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-002 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans Sd-looking Plstc Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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