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参数资料
| 型号： | SDP8407-001 |
| 厂商： | Honeywell Sensing and Control |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTR SILICON NPN |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 135° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
| 其它名称： | 480-5171 SDP8407-001-ND |
SDP8407
硅光电晶体管
开关时间测试电路
GaAs 发射极
Vcc + 5 V
集电极
cir_015.cdr
开关信号波形
1.0 V
eo
90%
cir_004.cdr
10%
250 μ S
H
发射极
RL
1000 Ω
eo
0 V
tr
t
tf
图 1
响应率与角位移
gra_055.ds4
图 2
集电极电流与环境温度
gra_039.ds4
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-160
-120
-80
-40
0
+40
+80
+120 +160
0
10
20
30
40
50
60
70
80
角位移 - 度
环境温度 - ° C
图 3
暗电流与温度
1000
gra_301.ds4
图 4
光谱响应率
1.0
gra_036.ds4
0.9
100
10
1
0.1
VCE = 15 V
H = 0
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.01
400
600
800
1000
1200
-40
-20
0
20
40
60
80
100
波长 - nm
大气温度 - ° C
所有性能曲线均显示典型值
126
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，
以便改善设计，并提供最佳产品。
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8436-004 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 |
| SDP8476-201 | PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK |
| SE2460-002 | DIODE IR EMITTING GAAS PILL PACK |
| SFP-1GBT-05 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
| SFP-1GBT-06 | OPTO FIBER OPTIC TRANSCEIVER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8425-001 | 功能描述:光电晶体管 Infrared Sensors RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8425-002 | 功能描述:光电晶体管 Infrared Sensors RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436 | 制造商:HONEYWELL-ACC 制造商全称:Honeywell Accelerometers 功能描述:Infrared Sensors Line Guide |
| SDP8436-001 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8436-002 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans Sd-looking Plstc Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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