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参数资料
| 型号： | SD1053C22S30L |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 920 A, 2200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| 封装： | BPUK-2 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | SD1053C22S30L |
SD1053C..L Series
7
Bulletin I2079 rev. B 04/00
www.irf.com
Fig. 16 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
3 000
4 000
5 000
6 000
7 000
8 000
9 000
10 000
11 000
12 000
1
1 0
100
N um b er O f E q ua l A m p litud e H a lf C ycle C urren t Pulses (N )
P
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Hal
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C
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(A
)
S D 1 053C ..S 30L Se rie s
In it ia l T = 1 5 0 °C
@ 6 0 H z 0.0083 s
@ 5 0 H z 0.0100 s
J
At An y R a t e d L o a d C o n d itio n An d W it h
R a t e d V
A pplie d Fo llo w in g Su rg e .
RRM
Fig. 15 - Maximum Non-repetitive Surge Current
Single and Double Side Cooled
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
0.01
0.1
1
P u lse T ra in D u ra tio n ( s)
P
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k
Hal
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v
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C
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(A
)
S D 1053C ..S 30L S e ries
V e rsu s P u lse T ra in D ura t io n .
M a x im u m N o n R e p e titiv e S urg e C u rre n t
In it ia l T = 1 5 0 °C
N o V o lt a g e R e a p plie d
Ra t e d V
R e a p p lie d
J
RRM
100
1000
10000
11 .522 .533 .544 .5
5
T = 25 °C
J
In sta ntaneous For ward V oltage (V )
In
st
a
n
ta
n
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rw
a
rd
C
u
rre
n
t(
A
)
T = 150°C
J
SD1 053 C..S20 L Series
10 0
100 0
1000 0
1
1 .522 .533 . 5 4
4 .5 5
5 .566 .5
T = 2 5 ° C
J
In st an t a n e o u s Fo rw ard V o lt ag e ( V )
In
st
a
n
ta
n
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u
sF
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d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
SD 1 053C ..S 30L S e ries
T = 150 ° C
J
Fig. 17 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 18 - Forward Voltage Drop Characteristics
0. 001
0. 0 1
0. 1
0 . 0 0 1
0 .0 1
0 .1
1
1 0
1 0 0
Sq u a re W a v e P u lse D u rat io n ( s)
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J-
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lI
m
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Z
(
K
/W
)
St e a d y St a te V a lu e
R
= 0.073 K /W
(Sin gle Sid e C o o le d)
R
= 0.031 K /W
( D ou b le S ide C o oled )
(D C O p e rat io n )
thJ -hs
thJ- hs
SD 1053 C . .S 20/ S30L Se rie s
Fig. 19 - Thermal Impedance Z
thJ-hs Characteristic
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PDF描述 |
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参数描述 |
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