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参数资料
| 型号： | SD1100C32C |
| 厂商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-43, PUK-2 |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | SD1100C32C |
Document Number: 95249
For technical questions, contact: indmodules@vishay.com
www.vishay.com
Revision: 26-Nov-07
1
B-43
Outline Dimensions
Vishay Semiconductors
DIMENSIONS in millimeters (inches)
42
(1.65)
DIA.
MAX.
40.5 (1.59) DIA. MAX.
Quote between upper and lower pole pieces has to be considered after
application of mounting force (see Thermal and Mechanical Specifications)
3.5 (0.14) DIA. NOM. x
1.8 (0.07) deep MIN. both ends
0.8 (0.03) MIN.
both ends
25.3 (1) DIA. MAX.
2 places
14.4
(0.57)
15.4
(0.61)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1100C08LPBF | 1170 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C32LPBF | 910 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C08L | 1170 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C20L | 1170 A, 2000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
| SD1100C04LPBF | 1170 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-200AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SD1100C32L | 功能描述:DIODE STD REC 3200V 910A B-PUK RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件 |
| SD1100CHP | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS |
| SD1100DD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS |
| SD1100HD | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE D MOS POWER FETS |
| SD1100P | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:1.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers |
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