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参数资料
| 型号： | SDP8406-001 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 458K |
| 代理商： | SDP8406-001 |
Silicon Phototransistor
SDP8406
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
cir_015.cdr
SWITCHING WAVEFORM
cir_004.cdr
Responsivity vs
Angular Displacement
gra_054.ds4
Angular displacement - degrees
R
e
la
ti
v
e
re
s
p
o
n
s
e
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
-60
-45
-30
-15
0
+15 +30 +45 +60
Fig. 1
Collector Current vs
Ambient Temperature
gra_039.ds4
Ambient temperature - °C
N
o
rm
a
liz
e
d
c
o
lle
c
to
r
c
u
rr
e
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0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Fig. 2
Dark Current vs
Temperature
gra_301.cdr
Fig. 3
Non-Saturated Switching Time vs
Load Resistance
gra_041.ds4
Load resistance - Ohms
R
e
s
p
o
n
s
e
ti
m
e
-
s
1
10
100
10
100
1000
10000
Fig. 4
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
122
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8406-003 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SDP8406-002 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SDP8406-004 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SDP8436-001 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SE1003-C | 4.8 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8406-002 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTrans Sd-looking Plstc Pkg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8406-003 | 功能描述:光电晶体管 PHOTOTRANSISTOR SIDE VIEW RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8406-003 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
| SDP8406-004 | 功能描述:光电晶体管 Silicon PhotoTransis RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8406-139 | 功能描述:光电晶体管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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