- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录96814 > SDP8475-201 PHOTO TRANSISTOR DETECTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | SDP8475-201 |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | SDP8475-201 |
SDP8475-201
Low Light Rejection Phototransistor
Supply voltage = 5V
Distance between emitter and detector = 0.4 in.
(10.16mm )
IRED drive current = 20mA
The SEP8505-002 gives 1.0mW/cm
2 min. to 4.0mW/cm2
max. under the above conditions. To obtain minimum
light current output, use the minimum irradiance limit.
Light current output = I
L slopeMIN. * (HA - HKP)
Light current output = 4.0 mA/mW/cm
2 min. * (1.0
mW/cm
2 min. - 0.125 mW/cm2) = 3.5mA min.
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
140
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SDP8604-301 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| SDP8614-301 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
| SE1103 | 4.8 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 890 nm |
| SE2470-002 | 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SE2470-001 | 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SDP8476-201 | 功能描述:光电晶体管 .32mAPHOTOTRANSISTOR IR COMPONENT 20 deg RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| SDP8490-303 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述: |
| SDP85N03L | 制造商:SAMHOP 制造商全称:SAMHOP 功能描述:N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field Effect Transistor |
| SDP8600 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SDP86XX |
| SDP8600-001 | 功能描述:光IC传感器 PHOTODIODE SCHMITT O/P RoHS:否 制造商:Honeywell 产品:Photo IC 通道数量:1 输出类型:10 KOhms Pull-up, Inverter 工作电源电压:4.5 V to 16 V 电源电流:12 mA to 15 mA 高电平输出电流: 上升时间:60 ns 下降时间:15 ns 传播延迟时间:5 us 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 标准包装数量: 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。