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参数资料
| 型号： | SFH482-1 |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 4.7 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 封装： | HERMETIC, TO-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | SFH482-1 |
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2000-09-20
3
Grenzwerte (
T
C = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 480, SFH 482
T
op; Tstg
– 40
… + 125
°C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
SFH 481
T
op; Tstg
– 40
… + 100
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5V
Durchlastrom
Forward current
I
F
200
mA
Stostrom,
t
p = 10 s, D = 0
Surge current
I
FSM
2.5
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
470
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
R
thJC
450
160
K/W
Kennwerte (
T
A = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F = 100 mA
λ
peak
880
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F = 100 mA
λ
80
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
± 6
± 15
± 30
Grad
deg.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH482-3 | 4.7 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SGD-100T | GALLIUM ARSENIDE, C-X BAND, MIXER DIODE |
| SHD116217 | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SHD118517A | 120 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SHD619112P | 10 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFH482-1/2 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,TO18,880nm,SFH 482-1/2 |
| SFH482-2 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH482-2/3 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter, 880nm,TO-18,30deg,SFH482-2/3 |
| SFH482-3 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH482ME7800 | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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