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参数资料
| 型号： | SFH482-1 |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | 4.7 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 封装： | HERMETIC, TO-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | SFH482-1 |
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2000-09-20
5
Gruppierung der Strahlstrke I
e in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity I
e in Axial Direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
480-2
SFH
480-3
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
> 40
–
> 63
–
≥ 10
–
10
20
16
–
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 1 A, tp = 100 s
Ie typ.
540
630
220
130
220
mW/sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
482
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
1)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da
β bei der
Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberflche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet.
Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche über Zusatzoptiken strend (z.B.
Lichtschranken gro
βer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch
Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Me
βverfahren ergibt sich für den Anwender
eine besser verwertbare Gr
βe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag E 7800“, der
an die Typenbezeichnung angehngt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial
direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
≥ 3.15
–
3.15
6.3
5
10
8
–
1.6 ... 3.2
–
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 1 A, tp = 100 s
Ie typ.
–
40
65
80
–
mW/sr
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH482-3 | 4.7 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| SGD-100T | GALLIUM ARSENIDE, C-X BAND, MIXER DIODE |
| SHD116217 | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SHD118517A | 120 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SHD619112P | 10 A, 1200 V, SILICON CARBIDE, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFH482-1/2 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,TO18,880nm,SFH 482-1/2 |
| SFH482-2 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH482-2/3 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter, 880nm,TO-18,30deg,SFH482-2/3 |
| SFH482-3 | 制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm |
| SFH482ME7800 | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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