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参数资料
| 型号： | SFT1423-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA |
| 标准包装： | 700 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.9 欧姆 @ 1A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 175pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TP-FA |
| 包装： | 带卷 (TR) |
SFT1423
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=10mA, VGS=0V
VDS=400V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
500
100
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=1A
1.2
1.1
1.9
2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=1A, VGS=10V
ID=0.5A, VGS=4V
VDS=30V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=200V, VGS=10V, ID=2A
IS=2A, VGS=0V
3.8
3.9
175
32
6
7.4
8.8
42
27
8.7
1.1
2.9
0.9
4.9
5
1.2
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
10V
0V
VIN
VIN
VDD=200V
ID=1A
RL=200 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
D
VOUT
P.G
50 Ω
S
SFT1423
Ordering Information
Device
SFT1423-E
SFT1423-TL-E
Package
TP
TP-FA
Shipping
500pcs./bag
700pcs./reel
memo
Pb Free
No. A1509-2/9
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PDF描述 |
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