参数资料
型号: SFT1423-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
标准包装: 700
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.9 欧姆 @ 1A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 30V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TP-FA
包装: 带卷 (TR)
SFT1423
2.0
ID -- VDS
2.0
ID -- VGS
1.8
4.
0V
1.8
VDS=10V
1.6
1.4
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
3.0V
VGS=2.5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
10
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14752
12
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT11453
Ta=25°C
=1
I , D
=0
10
V,
VG
VG
9
8
7
6
ID=0.5A
1.0A
10
8
6
= ID
S
V
=4
S
A
.5A
5
4
3
4
2
2
0
2
4
6
8
10
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ta
5 °
° C
° C
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
25
C
--2
=
75
IT14754
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT11455
VGS=0V
0.1
7
5
3
2
3
2
0.01
7
5
3
0.01
7
0.001
2 3
5 7 0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
2
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14787
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14757
VDD=200V
5
f=1MHz
100
VGS=10V
3
7
2
Ciss
5
td(off)
100
3
2
tf
7
5
3
C os s
2
10
7
tr
td(on)
10
7
C rs s
5
5
3
3
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Drain Current, ID -- A
IT14758
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14759
No. A1509-3/9
相关PDF资料
PDF描述
SFT1431-E MOSFET N-CH 35V 11A TP
SFT1431-TL-E MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA
SFT1440-TL-E MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA
SFT1443-H MOSFET N-CH 100V 9A TP
SFT1445-H MOSFET N-CH 100V 17A TP
相关代理商/技术参数
参数描述
SFT1427 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
SFT1431 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
SFT1431-E 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SFT1431-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SFT1440 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications