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参数资料
| 型号： | SFT1445-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A TP |
| 标准包装： | 500 |
| 系列： | * |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 111 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1030pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
Ordering number : ENA1897A
SFT1445
N-Channel Power MOSFET
100V, 17A, 111m Ω , Single TP/TP-FA
Features
http://onsemi.com
?
?
ON-resistance RDS(on)1=85m Ω (typ.)
Halogen free compliance
?
?
Input Capacitance Ciss=1030pF(typ.)
Protection diode in
?
4V drive
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
100
±20
17
Unit
V
V
A
Drain Current (PW ≤ 10 μ s)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
68
1.0
35
150
--55 to +150
A
W
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions unit : mm (typ)
7518-004
Package Dimensions unit : mm (typ)
7003-004
6.5
5.0
2.3
0.5
SFT1445-H
6.5
5.0
2.3
0.5
SFT1445-TL-H
4
4
0.85
0.7
1.2
0.85
1
2
3
0.5
0.6
1
2
3
0.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
0.6
2.3
2.3
0 to 0.2
1.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
2.3
2.3
TP
TP-FA
Product & Package Information
? Package : TP
? Package : TP-FA
? JEITA, JEDEC : SC-64, TO-251
? Minimum Packing Quantity : 500 pcs./bag
? JEITA, JEDEC : SC-63, TO-252
? Minimum Packing Quantity : 700 pcs./reel
2,4
Marking
(TP, TP-FA)
T1445
Packing Type (TP-FA) : TL
Electrical Connection
1
LOT No.
TL
3
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
60612 TKIM/D2210PA TKIM TC-00002529 No. A1897-1/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFT1450-H | MOSFET N-CH 40V 21A TP |
| SG923-0012-3.3-C | RF EVAL WI-FI MODULE |
| SGF23N60UFTU | IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF |
| SGF5N150UFTU | IGBT HI PERFORM 1500V 5A TO-3PF |
| SGH15N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1445-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 17A TP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SFT1446 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1446-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1446-TL-H | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1450 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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