参数资料
型号: SFT1450-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 1/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 21A TP
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫欧 @ 10.5A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 715pF @ 20V
功率 - 最大: 1W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
Ordering number : ENA1743A
SFT1450
N-Channel Power MOSFET
40V, 21A, 28m Ω , Single TP/TP-FA
Features
http://onsemi.com
?
?
ON-resistance RDS(on)1=21m Ω (typ.)
Halogen free compliance
?
?
Input Capacitance Ciss=715pF(typ.)
Protection diode in
?
4.5V drive
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
40
±20
21
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
84
1
23
150
--55 to +150
A
W
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions unit : mm (typ)
7518-004
Package Dimensions unit : mm (typ)
7003-004
6.5
5.0
2.3
0.5
SFT1450-H
6.5
5.0
2.3
0.5
SFT1450-TL-H
4
4
0.85
0.7
1.2
0.85
1
2
3
0.5
0.6
1
2
3
0.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
0.6
2.3
2.3
0 to 0.2
1.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
2.3
2.3
TP
TP-FA
Product & Package Information
? Package : TP
? JEITA, JEDEC : SC-64, TO-251
? Package : TP-FA
? JEITA, JEDEC : SC-63, TO-252
? Minimum Packing Quantity : 500 pcs./bag
? Minimum Packing Quantity : 700 pcs./reel
2, 4
Marking
(TP, TP-FA)
T1450
LOT No.
Packing Type (TP-FA) : TL
Electrical Connection
1
TL
3
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
60612 TKIM/60910PA TKIM TC-00002332 No. A1743-1/9
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参数描述
SFT1450-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SFT1452-H 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS(导通): 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装:
SFT14G 功能描述:整流器 1A,200V,35NS,GLASS Pass,SUPER FAST Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
SFT14G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 200V 1A 2-Pin TS-1 T/R
SFT15 功能描述:整流器 1A,300V,35NS, SUPER FAST Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel