- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录506 > SFT1450-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 21A TP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | SFT1450-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 21A TP |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 715pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
SFT1450
Bag Packing Speci ? cation
SFT1450-H
No. A1743-7/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SG923-0012-3.3-C | RF EVAL WI-FI MODULE |
| SGF23N60UFTU | IGBT ULTRA FAST 600V 12A TO-3PF |
| SGF5N150UFTU | IGBT HI PERFORM 1500V 5A TO-3PF |
| SGH15N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P |
| SGH20N60RUFDTU | IGBT SHORT CIRC 600V 20A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1450-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TP-FA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SFT1452-H | 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: |
| SFT14G | 功能描述:整流器 1A,200V,35NS,GLASS Pass,SUPER FAST Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| SFT14G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 200V 1A 2-Pin TS-1 T/R |
| SFT15 | 功能描述:整流器 1A,300V,35NS, SUPER FAST Rect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。