参数资料
型号: SFT1450-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 21A TP
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 21A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫欧 @ 10.5A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 715pF @ 20V
功率 - 最大: 1W
安装类型: *
封装/外壳: *
供应商设备封装: *
包装: *
SFT1450
4.5
21
20
19
18
17
ID -- VDS
V
Tc=25 ° C
Single pulse
30
25
VDS=10V
Single pulse
ID -- VGS
16
15
14
13
12
20
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
4.0V
VGS=3.5V
15
10
5
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
90
80
RDS(on) -- VGS
IT15551
Tc=25 ° C
Single pulse
80
70
RDS(on) -- Tc
IT15552
Single puls e
=4.5
=5.5
70
60
50
5.5A
ID=10.5A
60
50
40
VGS
, ID
A
VGS
10.0V
40
30
20
30
20
=
, I D=
10.5
A
10
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
25 °
--25
Tc=
75 °
2
10
7
5
3
2
| y fs | -- ID
C
° C
C
IT15553
VDS=10V
Single pulse
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15554
VGS=0V
Single pulse
1.0
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
3
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7
10
2
3
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15555
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15556
100
7
5
VDD=20V
VGS=10V
td(off)
2
1000
7
Ciss
f=1MHz
5
3
2
tf
3
2
10
7
5
td(on)
tr
100
7
5
Coss
Crss
3
3
2
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Drain Current, ID -- A
IT15557
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15558
No. A1743-3/9
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PDF描述
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参数描述
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