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参数资料
| 型号： | SFT1431-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 35V 11A TP |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
SFT1431
Taping Speci ? cation
SFT1431-TL-E
No. A1624-5/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFT1431-TL-E | MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA |
| SFT1440-TL-E | MOSFET N-CH 600V 1.5A TP-FA |
| SFT1443-H | MOSFET N-CH 100V 9A TP |
| SFT1445-H | MOSFET N-CH 100V 17A TP |
| SFT1450-H | MOSFET N-CH 40V 21A TP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SFT1431-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 35V 11A TP-FA RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SFT1440 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| SFT1440-E | 功能描述:MOSFET ZENSOT23TVSARRAY36V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1440-TL-E | 功能描述:MOSFET WIDEBAND AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SFT1443 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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