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参数资料
型号： SGH15N60RUFDTU
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P
产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告： Product Discontinuation 27/Feb/2012
标准包装： 30
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 2.8V @ 15V，15A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 24A
功率 - 最大： 160W
输入类型： 标准
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装： TO-3P
包装： 管件
Electrical Characteristics of the IGBT T C
= 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV CES
? B VCES /
? T J
I CES
I GES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Temperature Coefficient of Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0V, I C = 250uA
V GE = 0V, I C = 1mA
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
600
--
--
--
--
0.6
--
--
--
--
250
± 100
V
V/ ° C
uA
nA
On Characteristics
V GE(th)
G-E Threshold Voltage
I C = 15mA, V CE = V GE
5.0
6.0
8.5
V
V CE(sat)
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I C = 15A ,
I C = 24A ,
V GE = 15V
V GE = 15V
--
--
2.2
2.5
2.8
--
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
C oes
C res
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30V , V GE = 0V,
f = 1MHz
--
--
--
948
101
33
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
--
--
17
33
--
--
ns
ns
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
T sc
Q g
Q ge
Q gc
L e
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Short Circuit Withstand Time
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
Internal Emitter Inductance
V CC = 300 V, I C = 15A,
R G = 13 ? , V GE = 15V,
Inductive Load, T C = 25 ° C
V CC = 300 V, I C = 15A,
R G = 13 ? , V GE = 15V,
Inductive Load, T C = 125 ° C
V CC = 300 V, V GE = 15V
@ T C = 100 ° C
V CE = 300 V, I C = 15A,
V GE = 15V
Measured 5mm from PKG
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
10
--
--
--
--
44
118
320
356
676
20
34
48
212
340
695
1035
--
42
7
17
14
65
200
--
--
950
--
--
70
350
--
--
1450
--
60
10
24
--
nS
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
us
nC
nC
nC
nH
Electrical Characteristics of DIODE T C
= 25 ° C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
V FM
t rr
I rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Diode Reverse Recovery Time
Diode Peak Reverse Recovery
Current
Diode Reverse Recovery Charge
I F = 15A
I F = 15A,
di/dt = 200 A/us
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
T C = 25 ° C
T C = 100 ° C
--
--
--
--
--
--
--
--
1.4
1.3
42
60
3.5
5.6
80
220
1.7
--
60
--
6.0
--
180
--
V
ns
A
nC
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGH15N60RUFD Rev. A1
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PDF描述
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SGH40N60UFDTU IGBT HI PERFORM 600V 20A TO-3P
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相关代理商/技术参数
参数描述
SGH15N60RUFTU 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGH20N120RUF 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
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SGH20N120RUFTU 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
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