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参数资料
| 型号： | SGH15N60RUFDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT SHORT CIRC 600V 15A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 27/Feb/2012 |
| 标准包装： | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.8V @ 15V，15A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 24A |
| 功率 - 最大： | 160W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
1800
1500
Common Emitter
V GE = 0V, f = 1MHz
T C = 25 ℃
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 15A
1200
900
600
300
0
Cies
Coes
Cres
100
10
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Ton
Tr
1
10
1
10
100
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 7. Capacitance Characteristics
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
1000
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 15A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Toff
Toff
Tf
1000
Common Emitter
V CC = 300V, V GE = ± 15V
I C = 15A
T C = 25 ℃ ━━
T C = 125 ℃ ------
Eoff
Eon
Eoff
Tf
100
100
1
10
100
1
10
100
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance, R G [ ? ]
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Gate Resistance
1000
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 13 ?
T C = 25 ℃ ━━
Common Emitter
V GE = ± 15V, R G = 13 ?
T C = 25 ℃ ━━
100
T C = 125 ℃ ------
Ton
Tr
T C = 125 ℃ ------
Toff
Tf
Toff
100
Tf
10
5
10
15
20
25
30
5
10
15
20
25
30
Collector Current, I C [A]
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Collector Current, I C [A]
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
SGH15N60RUFD Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SGH15N60RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V/15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGH20N120RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH20N120RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGH20N120RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| SGH20N120RUFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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