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参数资料
| 型号： | SGP23N60UFTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT W/DIODE 600V TO-220-3 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.6V @ 15V，12A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 23A |
| 功率 - 最大： | 100W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
100
50
80
Common Emitter
T C = 25 ℃
20V
15V
40
Common Emitter
V GE = 15V
T C = 25 ℃
T C = 125 ℃
60
40
20
0
12V
V GE = 10V
30
20
10
0
0
2
4
6
8
0.5
1
10
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Collector - Emitter Voltage, V CE [V]
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
4
3
2
Common Emitter
V GE = 15V
24A
12A
20
15
10
V CC = 300V
Load Current : peak of square wave
I C = 6A
1
5
Duty cycle : 50%
T C = 100 ℃
0
0
Power Dissipation = 21W
0
30
60
90
120
150
0.1
1
10
100
1000
Case Temperature, T C [ ℃ ]
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
20
Common Emitter
T C = 25 ℃
16
12
8
Frequency [KHz]
Fig 4. Load Current vs. Frequency
20
Common Emitter
T C = 125 ℃
16
12
8
4
12A
24A
4
12A
24A
0
I C = 6A
0
I C = 6A
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Gate - Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 5. Saturation Voltage vs. V GE
Gate - Emitter Voltage, V GE [V]
Fig 6. Saturation Voltage vs. V GE
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
SGP23N60UF Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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