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参数资料
| 型号： | SI1022R-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A |
| 产品目录绘图： | SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.25 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-75A |
| 供应商设备封装： | SC-75A |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1661 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1022R-T1-GE3DKR |
Si1022R
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS(min.) (V) R DS(on) ( ? )
V GS(th) (V)
I D (mA)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
60
1.25 at V GS = 10 V
1 to 2.5
330
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? Low On-Resistance: 1.25 ?
? Low Threshold: 2.5 V
? Low Input Capacitance: 30 pF
? Fast Switching Speed: 25 ns
? Low Input and Output Leakage
SC-75A
(SOT-416)
? Miniature Package
? ESD Protected: 2000 V
G
1
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
3
D
APPLICATIONS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,
Memories, Transistors, etc.
S
2
Markin g Code: E
? Battery Operated Systems
? Solid State Relays
Orderin g Information: Si1022R-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
BENEFITS
?
?
?
?
?
Low Offset Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Low Error Voltage
Small Board Area
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwi se noted)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current a
Pulsed Drain Current a
Power Dissipation a
Thermal Resistance, Maximum Junction-to-Ambient a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 85 °C
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
P D
R thJA
T J , T stg
330
240
650
250
130
500
- 55 to 150
mA
mW
°C/W
°C
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board, power applied for t ? 10 s.
Document Number: 71331
S10-2687-Rev. F, 22-Nov-10
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1022R-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 60V 330mA SC-75A |
| Si1023-A-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 16KB 4KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1023-A-GMR | 功能描述:射频微控制器 - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1023-B-GM | 功能描述:射频微控制器 - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
| Si1023-B-GMR | 功能描述:射频微控制器 - MCU 16kB, 4kB RAM, +20dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube |
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