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参数资料
| 型号： | SI1029X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 |
| 产品目录绘图： | X-T1-E3 Series SOT-563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 305mA，190mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.4 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.75nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1029X-T1-GE3DKR |
Si1029X
Vishay Siliconix
Complementary N- and P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
N-Channel
P-Channel
V DS (V)
60
- 60
R DS(on) ( ? )
1.40 at V GS = 10 V
3 at V GS = 4.5 V
4 at V GS = - 10 V
8 at V GS = - 4.5 V
I D (mA)
500
200
- 500
- 25
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? Very Small Footprint
? High-Side Switching
? Low On-Resistance:
N-Channel, 1.40 ?
P-Channel, 4 ?
? Low Threshold: ± 2 V (typ.)
SC-89
? Fast Switching Speed: 15 ns (typ.)
S 1
1
6
D 1
? Gate-Source ESD Protected: 2000 V
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
G 1
2
5
G 2
Markin g Code: H
BENEFITS
?
Ease in Driving Switches
D 2
3
4
S 2
?
Low Offset (Error) Voltage
?
Low-Voltage Operation
Top V ie w
?
High-Speed Circuits
Orderin g Information: Si1029X-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
APPLICATIONS
? Replace Digital Transistor, Level-Shifter
? Battery Operated Systems
? Power Supply Converter Circuits
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
N-Channel
P-Channel
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
60
± 20
5s
Steady State
- 60
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current b
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
320
230
650
305
220
- 200
- 145
- 650
- 190
- 135
mA
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
I S
450
380
- 450
- 380
Maximum Power Dissipation a
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
280
145
250
130
280
145
250
130
mW
Operating Junction and Storage Temperature Range
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
T J , T stg
ESD
- 55 to 150
2000
°C
V
Notes:
a. Surface mounted on FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 71435
S10-2432-Rev. C, 25-Oct-10
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1029X-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 60V SC-89 |
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