参数资料
| 型号： | SI1040X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 500 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 430mA |
| 输入电压： | 1.8 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1040X-T1-GE3DKR |
Si1040X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1.6
20
1.4
I L = 0.3 A
V O N /OFF = 1.5 V to 8 V
V I N = 1. 8 V
16
t f
1.2
1.0
0. 8
0.6
V I N = 4.5 V
12
8
I L = 0.36 A
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
t d(off)
t r
0.4
4
0.2
0.0
0
t d(on)
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
20
T J - J u nction Temperat u re (°C)
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
20
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 4.5 V, R1 = 20 k W
t f
t f
16
16
12
8
4
I L = 0.36 A
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
t r
t d(off)
12
8
4
t r
t d(off)
I L = 0.36 A
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
0
t d(on)
0
t d(on)
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
8 0
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 2.5 V, R1 = 20 k W
t d(off)
8 0
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 1. 8 V, R1 = 20 k W
I L = 0.36 A
V O N /OFF = 3 V
60
t f
60
C i = 10 μF
C o = 1 μF
t f
I L = 0.36 A
t d(off)
40
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
40
20
20
t r
t d(on)
t r
0
t d(on)
0
0
20
40
60
8 0
100
0
20
40
60
8 0
100
www.vishay.com
4
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 4.5 V, R1 = 300 k W
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 2.5 V, R1 = 300 k W
Document Number: 71809
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
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