参数资料
| 型号： | SI1040X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 500 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 430mA |
| 输入电压： | 1.8 V ~ 8 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1040X-T1-GE3DKR |
Si1040X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
8 0
t f
60
t d(off)
I L = 0.36 A
40
V O N /OFF = 3 V
C i = 10 μF
C o = 1 μF
t r
t d(on)
20
0
0
20
40
60
8 0
100
R2 (k Ω )
Switching Variation
R2 at V IN = 1. 8 V, R1 = 300 k W
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
t 1
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 720 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
Sq u are Wa v e P u lse D u reation (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71809 .
Document Number: 71809
S10-2544-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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