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参数资料
| 型号： | SI1067X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 1.06A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 375pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 236mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1067X
Vishay Siliconix
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
- 20
R DS(on) ( ? )
0.150 at V GS = - 4.5 V
0.166 at V GS = - 2.5V
0.214 at V GS = - 1.8V
I D (A)
1.06
1.0
0.49
Q g (Typ.)
6.0
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Load Switch for Portable Devices
SC-89 (6-LEADS)
S
D
1
6
D
Markin g Code
X
XX
D
2
5
D
Lot Tracea b ility
and Date Code
G
Part # Code
G
3
4
S
Top V ie w
Orderin g Information: Si1067X-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwis e noted)
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
- 1.06 b, c
- 0.85 b, c
-8
- 0.2 b, c
0.236 b, c
0.151 b, c
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a, b
t ?? 5 s
Steady State
R thJA
440
540
530
650
°C/W
Notes:
a. Maximum under steady state conditions is 650 °C/W.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
Document Number: 74322
S10-2542-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
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