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参数资料
| 型号： | SI1067X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 1.06A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 375pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 236mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si1067X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
N otes:
P DM
t 1
t 1
0.001
Single P u lse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 540 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.0001
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?74322 .
Document Number: 74322
S10-2542-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
5
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