参数资料
型号: SI1070X-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 99 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.55V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 8.3nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 385pF @ 15V
功率 - 最大: 236mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商设备封装: SC-89-6
包装: 标准包装
其它名称: SI1070X-T1-GE3DKR
Si1070X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.24
0.1 8
I D = 1.2 A
0.1
T J = 150 °C
0.12
T A = 125 °C
T J = 25 °C
0.01
0.001
0.06
0.00
T A = 25 °C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1
0
1
2
3
4
5
1.5
1.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
5.0
4.0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
R DS(on) vs. V GS vs. Temperature
1.2
3.0
1.0
2.0
0. 8
0.6
1.0
0.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
Limited b y R DS(on) *
1
0.1
0.01
T A = 25 ° C
Single P u lse
0.001
BVDSS Limited
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73893
S10-2542-Rev. D, 08-Nov-10
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