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参数资料
| 型号： | SI1071X-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 960MA SC89-6 |
| 产品目录绘图： | X-T1-E3 Series SOT-563 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 167 毫欧 @ 960mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.64nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 315pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 236mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SC-89-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1071X-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-89: 6-Lead
0.051
(1.300)
0.012
(0.300)
0.020
(0.500)
0.051
(0.201)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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Document Number: 72605
Revision: 21-Jan-08
www.vishay.com
21
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SI1072X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 1.3A 0.236W 93mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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