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参数资料
| 型号： | SI1869DH-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SW LVL SHIFT 20V SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 高端开关 |
| 输出数： | 1 |
| Rds（开）： | 165 毫欧 |
| 内部开关： | 是 |
| 电流限制： | 1.2A |
| 输入电压： | 1.8 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1666 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SI1869DH-T1-E3DKR |
Si1869DH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.6
0.6
0.5
0.4
V O N /OFF = 1.5 V to 8 V
0.5
0.4
V O N /OFF = 1.5 V to 8 V
T J = 125 °C
0.3
0.2
0.1
0.0
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.3
0.2
0.1
0.0
T J = 25 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.6
0.5
0.4
0.3
I L (A)
V DROP vs. I L at V IN = 4.5 V
V O N /OFF = 1.5 V to 8 V
T J = 125 °C
0.5
0.4
0.3
I L (A)
V DROP vs. I L at V IN = 2.5 V
V O N /OFF = 1.5 V to 8 V
0.2
0.1
0.0
T J = 25 °C
0.2
0.1
0.0
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
1
2
3
4
5
6
0.10
0.06
I L (A)
V DROP vs. I L at V IN = 1.8 V
I L = 0.7 A
V O N /OFF = 1.5 V to 8 V
V I N = 1. 8 V
0.5
0.4
V I N ( V )
V DROP vs. V IN at I L = 0.7 A
I L = 0.7 A
V O N /OFF = 1.5 V to 8 V
0.02
- 0.02
- 0.06
- 0.10
V I N = 4.5 V
0.3
0.2
0.1
0.0
T J = 25 °C
T J = 125 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
T J - J u nction Temperat u re (°C)
V DROP Variance vs. Junction Temperature
Document Number: 73449
S10-0792-Rev. C, 05-Apr-10
V I N ( V )
On-Resistance vs. Input Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECM25DRPN | CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD |
| 0210490241 | CABLE JUMPER 1.25MM .127M 18POS |
| ECM25DRPH | CONN EDGECARD 50POS DIP .156 SLD |
| ECM11DRKF | CONN EDGECARD 22POS DIP .156 SLD |
| 0982660144 | CBL 14POS 0.5MM JMPR TYPE D 3" |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1869DH-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET LOAD SWITCH 1.8V RA W/ LEVEL SHIFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1900DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI1900DL-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 0.63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1900DL-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 0.63A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1901DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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