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参数资料
| 型号： | SI1900DL-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 590mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 480 毫欧 @ 590mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.4nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 270mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR SC-70: 6-Lead
0.067
(1.702)
0.016
(0.406)
0.026
(0.648)
0.010
(0.241)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
18
Document Number: 72602
Revision: 21-Jan-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1902DL-T1-GE3 | MOSFET N-CH G-S 20V DUAL SC-70-6 |
| SI1926DL-T1-E3 | MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6 |
| SI1967DH-T1-E3 | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
| SI1970DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 |
| SI2300DS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI1901DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI1901DL-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.18A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI1902CDL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| SI1902CDL-T1-GE3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N-Channel 20 V 0.235 Ohm 0.42 W Surface Mount Mosfet - SC-70-6 制造商:Vishay 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R |
| SI1902DL | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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