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参数资料
| 型号： | SI1967DH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 490 毫欧 @ 910mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1967DH-T1-GE3DKR |
Si1967DH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
3.0
V GS = 5 V thr u 2.5 V
2.5
2.0
V GS = 2 V
1.0
0. 8
0.6
1.5
0.4
1.0
0.5
V GS = 1.5 V
0.2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.0
V GS = 1 V
0.0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
1.2
1.0
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
200
160
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0. 8
V GS = 1. 8 V
120
C iss
0.6
V GS = 2.5 V
8 0
0.4
0.2
0.0
V GS = 4.5 V
40
0
C rss
C oss
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
3
6
9
12
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1.4
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 1 A
1.3
V GS = 4.5 V, 2.5 V; I D = 0.91 A
6
V DS = 10 V
1.2
1.1
4
2
V DS = 16 V
1.0
0.9
V GS = 1.8 V; I D = 0.12 A
0. 8
0
0.7
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68784
S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
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