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参数资料
| 型号： | SI1967DH-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 490 毫欧 @ 910mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI1967DH-T1-GE3DKR |
Si1967DH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single P u lse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 220 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?68784 .
www.vishay.com
6
Document Number: 68784
S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10
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PDF描述 |
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| SI1972DH | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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