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参数资料
| 型号： | SI2304DDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 235pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI2304DDS-T1-GE3DKR |
New Product
Si2304DDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
15
12
9
25 °C, unless otherwise noted
V GS = 10 V thru 4 V
5
4
3
T C = - 55 °C
6
3
0
V GS = 3 V
2
1
0
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.10
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
300
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0 8
V GS = 4.5 V
250
200
C iss
0.06
150
0.04
V GS = 10 V
100
C oss
0.02
50
0.00
0
C rss
0
3
6
9
12
15
0
5
10
15
20
25
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 3.4 A
1.5
1.4
I D = 3.2 A
V GS = 10 V
V DS = 7.5 V
1.3
6
1.2
V DS = 24 V
1.1
4
2
0
V DS = 15 V
1.0
0.9
0. 8
0.7
0
1
2
3
4
5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 65175
S09-1496-Rev. A, 10-Aug-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2304DDS-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 3.6A |
| SI2304DS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 1.7A TO236AB |
| SI2304DS T/R | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2304DS,215 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2304DS/DG,215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel |
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