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参数资料
| 型号： | SI2304DDS-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 3.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 235pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI2304DDS-T1-GE3DKR |
New Product
Si2304DDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
N otes:
t 1
t 2
0.1
0.01
0.05
0.02
S ingle Pulse
P DM
t 1
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 130 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?65175 .
www.vishay.com
6
Document Number: 65175
S09-1496-Rev. A, 10-Aug-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI2305ADS-T1-E3 | MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 |
| SI2305CDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2304DDS-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 3.6A |
| SI2304DS | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 1.7A TO236AB |
| SI2304DS T/R | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2304DS,215 | 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2304DS/DG,215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Tape & Reel |
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