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参数资料
| 型号： | SI2335DS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 51 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1225pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si2335DS
Vishay Siliconix
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
0.051 at V GS = - 4.5 V
I D (A)
- 4.0
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFETs: 1.8 V Rated
- 12
0.070 at V GS = - 2.5 V
0.106 at V GS = - 1.8 V
G
S
- 3.5
- 3.0
1
2
TO-236
(SOT-23)
3
D
Top View
Si2335DS (E5)*
*Marking Code
Ordering Information: Si2335DS-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si2335DS-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
- 12
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
- 4.0
- 3.3
- 15
- 3.2
- 2.6
A
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
I S
- 1.6
Maximum Power Dissipation a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
P D
T J , T stg
1.25
0.8
- 55 to 150
0.75
0.48
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
75
120
40
100
166
50
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. Pulse width limited by maximum junction temperature.
Document Number: 71314
S09-0130-Rev. B, 02-Feb-09
www.vishay.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| SI2335DS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SI2336DS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2337DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| SI2337DS_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
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