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参数资料
| 型号： | SI2335DS-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 51 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1225pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si2335DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
0.5
10
0.4
I D = 4.0 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.3
0.2
0.1
0.1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
0
2
4
6
8
0.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
12
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.3
0.2
0.1
0.0
- 0.1
I D = 250 μA
10
8
6
4
2
T A = 25 °C
- 0.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
100
600
2
1
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Time (s)
Single Pulse Power
Notes:
P DM
0.1
0.05
0.02
t 1
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 1
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 120 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
Single Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71314.
www.vishay.com
4
Document Number: 71314
S09-0130-Rev. B, 02-Feb-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 252B503A40TA | POT JOYSTICK 50K OHM |
| 11CX212 | SWITCH LIMIT EXPLOSION PROOF |
| ASVMPC-19.440MHZ-T3 | OSC 19.440 MHZ CMOS MEMS SMD |
| 944U700K122ABM | CAP FILM 70UF 1.2KVDC SCREW |
| 252A503A40TA | POT JOYSTICK 50K OHM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI2335DS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2336DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SI2336DS-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI2337DS | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
| SI2337DS_08 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
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