参数资料
型号: SI2335DS-T1-E3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH SOT23
标准包装: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 51 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1225pF @ 6V
功率 - 最大: 750mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)
Si2335DS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
15
15
12
V GS = 4.5 V thru 2.5 V
12
T C = - 55 °C
25 °C
9
6
3
0
2V
1.5 V
1 V, 0.5 V
9
6
3
0
125 °C
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.30
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
2000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.25
1500
0.20
0.15
0.10
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
1000
C iss
0.05
500
C oss
0.00
V GS = 4.5 V
0
C rss
0
3
6
9
12
15
0
3
6
9
12
8
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V DS = 6 V
I D = 4.0 A
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 4.0 A
6
1.2
4
1.0
2
0.8
0
0.6
0
5
10
15
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 71314
S09-0130-Rev. B, 02-Feb-09
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
相关PDF资料
PDF描述
252B503A40TA POT JOYSTICK 50K OHM
11CX212 SWITCH LIMIT EXPLOSION PROOF
ASVMPC-19.440MHZ-T3 OSC 19.440 MHZ CMOS MEMS SMD
944U700K122ABM CAP FILM 70UF 1.2KVDC SCREW
252A503A40TA POT JOYSTICK 50K OHM
相关代理商/技术参数
参数描述
SI2335DS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2336DS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SI2336DS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 107A N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2337DS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI2337DS_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 80-V (D-S) MOSFET