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参数资料
| 型号： | SI3424BDV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 735pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.98W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3424BDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
30
24
1 8
12
6
V GS = 10 V thru 4.5 V
V GS = 4 V
5
4
3
2
1
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0
V GS = 3 V
0
T J = - 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
0.06
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics curves vs. Temp
0.05
8 00
C iss
0.04
600
V GS = 4.5 V
0.03
0.02
0.01
0
V GS = 10 V
400
200
0
C oss
C rss
0
8
16
24
32
40
0
6
12
1 8
24
30
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 7 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
6
4
2
0
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V, I D = 5.8 A
V GS = 10 V , I D = 7 A
0
3
6
9
12
15
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Q g - Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 74623
S13-0631-Rev. E, 25-Mar-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GKGE3LXB4 | SWITCH INTERLOCK SPDT SLOW ACT |
| MP050C | CRYSTAL 5.0 MHZ 18 PF |
| 1624227-6 | POT 10K OHM 1/5W 20% SIDE ROUND |
| B82731T2132A20 | CHOKE POWER LINE 2X6.8mH 1.3A |
| MP080B | CRYSTAL 8.0 MHZ 18 PF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3424BDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3424CDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SI3424CDV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3424DV | 制造商:VISH 功能描述: |
| SI3424DV-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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