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参数资料
| 型号： | SI3424BDV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 735pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.98W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3424BDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
10
8
6
4
2
0
Package Limited
4.0
3.2
2.4
1.6
0. 8
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperat u re (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max.) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 74623
S13-0631-Rev. E, 25-Mar-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GKGE3LXB4 | SWITCH INTERLOCK SPDT SLOW ACT |
| MP050C | CRYSTAL 5.0 MHZ 18 PF |
| 1624227-6 | POT 10K OHM 1/5W 20% SIDE ROUND |
| B82731T2132A20 | CHOKE POWER LINE 2X6.8mH 1.3A |
| MP080B | CRYSTAL 8.0 MHZ 18 PF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3424BDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3424CDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
| SI3424CDV-T1-GE3 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
| SI3424DV | 制造商:VISH 功能描述: |
| SI3424DV-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 6.7A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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