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参数资料
| 型号： | SI3433CDV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si3433CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
16
12
8
V GS = 5 thr u 2 V
V GS = 1.5 V
10
8
6
4
T C = 25 °C
4
V GS = 1 V
2
T C = 125 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0.10
0.0 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
2500
2000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.06
V GS = 1.8 V
1500
C iss
V GS = 2.5 V
0.04
1000
0.02
V GS = 4.5 V
500
C oss
C rss
0.00
0
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
I D = 5.2 A
6
1.5
1.4
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 4.5 V ; 2.5 V ; I D = 5.2 A
V DS = 10 V
1.2
V DS = 16 V
4
2
0
1.1
1.0
0.9
0. 8
0.7
V GS = 1.8 V; I D = 2 A
0
5
10
15
20
25
30
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 68803
S09-0387-Rev. B, 09-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SI3433DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3434DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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