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参数资料
| 型号： | SI3433CDV-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 38 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
New Product
Si3433CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
0.10
0.09
0.0 8
0.07
0.06
I D = - 5. 2 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.05
0.04
0.03
0.02
T J = 25 °C
T J = 125 °C
0.01
0.1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.9
0. 8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
10
1
Limited by R DS(on) *
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
1 s, 10 s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
Document Number: 68803
S09-0387-Rev. B, 09-Mar-09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI3438DV-T1-E3 | MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3433CDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3433DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| SI3433DV-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3433DV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.3A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3434DV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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