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参数资料
| 型号： | SI3443BDV-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si3443BDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.20
0.16
25 °C, unless otherwise noted
1000
800
0.12
0.08
0.04
0.00
V GS = 2.5 V
V GS = 2.7 V
V GS = 4.5 V
600
400
200
0
C rss
C iss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
5
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
4
3
2
1
0
I D = 4.7 A
V DS = 10 V
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
I D = 4.7 A
V GS = 10 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.20
0.16
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
I D = 1 A
0.12
I D = 4.7 A
0.08
0.04
1
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
1
2
3
4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72749
S-09-0660-Rev. C, 20-Apr-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SI3443CDV | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI3443CDV-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.7A 3.2W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3443CDV-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.7A 3.2W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3443CVD-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 4.7A 3.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SI3443DV | 功能描述:MOSFET SSOT6 SINGLE PCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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